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G6P06

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Goford
型号:
编号:
封装:SOP-8
海关编码:EAR99
参数描述:G6P06
数据手册:
规格
Category
MOSFET
Continuous drain current
4A
VGS
3V 0.00025A
Package
SOP-8
Pd-Power Dissipation
0.1W
Transistor polarity
P沟道
VDS
60V
Rds On
4A 10V 0.096Ω
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
4A
功率(Pd)
3.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
58mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
4000+
1.32209
8000+
1.25488
12000+
1.16514
28000+
1.13829
数量(递增量:4000):
库存:
116,000
最小包装量:
4000
交付周期:
14-19 工作日
共:
5,288.36

C000289053 G6P06 由 Goford 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000289053 G6P06 参考价格 ¥1.3221,实时库存 116000。SOP-8 Continuous drain current: 4A, VGS: 3V 0.00025A, Package: SOP-8, Pd-Power Dissipation: 0.1W, Transistor polarity: P沟道, VDS: 60V, Rds On: 4A 10V 0.096Ω, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 4A, 功率(Pd): 3.1W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 58mΩ, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA。你可以下载 G6P06 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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