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2N7002DWS-7

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Diodes(美台)
型号:
编号:
封装:SOT-363
海关编码:EAR99
参数描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Package
SOT-363
VDS
60V
Power range
0.29W
Termination type
表面贴装型
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
类型
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
247mA
功率(Pd)
290mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
4Ω@500mA,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
400pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
41pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
0.50878
数量(递增量:3000):
库存:
267,000
最小包装量:
3000
交付周期:
15-18 工作日
共:
1,526.34
C000299073 2N7002DWS-7 由 Diodes(美台) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000299073 2N7002DWS-7 参考价格 ¥0.508801,实时库存 267000。SOT-363 Package: SOT-363, VDS: 60V, Power range: 0.29W, Termination type: 表面贴装型, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, 类型: 2个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 247mA, 功率(Pd): 290mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4Ω@500mA,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 400pC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 41pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 2N7002DWS-7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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