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TN0104N3-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:TO-92-3
海关编码:EAR99
参数描述:通孔 N 通道 40V 450mA(Ta) 1W(Tc) TO-92-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Continuous drain current
0.45A
Circuit Branch Number
1Channel
Transistor polarity
FET
VGS
20V
Termination type
Through Hole
Height
5.33 mm
Length
5.21 mm
Width
4.19 mm
Rds On
1.8Ω
VDS
40V
Package
TO-92-3
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Pd-Power Dissipation
1W
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
450mA
功率(Pd)
1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1.8Ω@1A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.6V@500uA
输入电容(Ciss@Vds)
70pF@20V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
10.85107
25+
9.26083
100+
8.325391
数量(递增量:1):
库存:
7,000
最小包装量:
1000
交付周期:
18-20 工作日
共:
10.86
C000336316 TN0104N3-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000336316 TN0104N3-G 参考价格 ¥10.8511,实时库存 7000。TO-92-3 Continuous drain current: 0.45A, Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: FET, VGS: 20V, Termination type: Through Hole, Height: 5.33 mm, Length: 5.21 mm, Width: 4.19 mm, Rds On: 1.8Ω, VDS: 40V, Package: TO-92-3, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Pd-Power Dissipation: 1W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 450mA, 功率(Pd): 1W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@1A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@500uA, 输入电容(Ciss@Vds): 70pF@20V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 TN0104N3-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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