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MJD31CJ

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Nexperia(安世)
型号:
编号:
封装:DPAK
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
双极晶体管(三极管)
Transistor type
NPN
Package
DPAK
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
3A
集射极击穿电压(Vceo)
100V
功率(Pd)
1.6W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
25@1A,4V
特征频率(fT)
3MHz
集电极截止电流(Icbo)
1uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
1.2V@3A,375mA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.02238
10+
3.35822
100+
1.8054
1000+
1.4967
2500+
1.22543
25000+
1.15059
数量(递增量:1):
库存:
155,000
最小包装量:
2500
交付周期:
18-20 工作日
共:
4.03
C000337789 MJD31CJ 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000337789 MJD31CJ 参考价格 ¥4.0224,实时库存 155000。DPAK Transistor type: NPN, Package: DPAK, 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 3A, 集射极击穿电压(Vceo): 100V, 功率(Pd): 1.6W, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 25@1A,4V, 特征频率(fT): 3MHz, 集电极截止电流(Icbo): 1uA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1.2V@3A,375mA。你可以下载 MJD31CJ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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