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规格
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
25@1A,4V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
1.2V@3A,375mA
C000337789 MJD31CJ 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000337789 MJD31CJ 参考价格 ¥4.0224,实时库存 155000。DPAK Transistor type: NPN, Package: DPAK, 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 3A, 集射极击穿电压(Vceo): 100V, 功率(Pd): 1.6W, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 25@1A,4V, 特征频率(fT): 3MHz, 集电极截止电流(Icbo): 1uA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 1.2V@3A,375mA。你可以下载 MJD31CJ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。