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产商: | ST(意法半导体) |
型号: | |
编号: | |
封装: | D2PAK |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | N-CH 600V 15A |
数据手册: | |
规格
Max, gate / emitter voltage
20V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Collector-emitter saturation voltage
3A 15V 2.5V
Collector-emitter voltage
600V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.5V@15V,3A
C000358817 STGB6NC60HDT4 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000358817 STGB6NC60HDT4 参考价格 ¥8.606,实时库存 14000。D2PAK Collector Current Ic: 12A, Package: D2PAK, Termination type: SMD/SMT, Pd-Power Dissipation: 80W, Height: 4.6 mm, Max, gate / emitter voltage: 20V, Width: 9.35 mm, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Length: 10.4 mm, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Collector-emitter saturation voltage: 3A 15V 2.5V, Collector-emitter voltage: 600V, 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 15A, 功率(Pd): 56W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.5V@15V,3A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 13.6nC, 开启延迟时间(Td(on)): 12ns, 关断延迟时间(Td(off)): 76ns, 导通损耗(Eon): 0.02mJ, 关断损耗(Eoff): 0.068mJ, 反向恢复时间(Trr): 21ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 STGB6NC60HDT4 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。