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STGW30M65DF2
产品图片仅供参考，可能与产品实物不同，但不会改变其基本特征。
| 产商: | ST(意法半导体) |
| 型号: | |
| 编号: | |
| 封装: | TO-247-3 |
| 海关编码: | EAR99 |
| 参数描述: | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
| 数据手册: | 数据手册 |
规格
Category
IGBT管
Max, gate / emitter voltage
20V
Pd-Power Dissipation
258W
Termination type
Through Hole
Package
TO-247-3
Operating Temperature Range
175℃~-55℃
Collector Current Ic
60A
Collector-emitter voltage
650V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
4+
24.21058
10+
20.82066
100+
18.32538
250+
16.617081
600+
14.56008
1200+
14.31903
数量(递增量:1):
库存:
33,011最小包装量:
1
交付周期:
17-20 工作日
共:
￥96.85
C000359279 STGW30M65DF2 由 ST(意法半导体) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000359279 STGW30M65DF2 参考价格 ￥24.2106，实时库存 33011。TO-247-3 Max, gate / emitter voltage: 20V, Pd-Power Dissipation: 258W, Termination type: Through Hole, Package: TO-247-3, Operating Temperature Range: 175℃~-55℃, Collector Current Ic: 60A, Collector-emitter voltage: 650V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V。你可以下载 STGW30M65DF2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
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