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BUK9Y14-80E,115

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Nexperia(安世)
型号:
编号:
封装:SOT-669
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 80V 62A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
数据手册:
规格
Category
MOSFET
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Package
SOT-669
VDS
80V
Transistor polarity
MOSFET
Termination type
表面贴装型
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
62A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
14mΩ@10V,15A
功率(Pd)
147W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
28.9nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)
4.64nF@25V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
11.39459
10+
9.20529
100+
7.15683
500+
6.08138
1000+
5.42843
5000+
4.76268
数量(递增量:1):
库存:
150,558
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
11.40
C000367890 BUK9Y14-80E,115 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000367890 BUK9Y14-80E,115 参考价格 ¥11.3946,实时库存 150558。SOT-669 Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Package: SOT-669, VDS: 80V, Transistor polarity: MOSFET, Termination type: 表面贴装型, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 80V, 连续漏极电流(Id): 62A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,15A, 功率(Pd): 147W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.1V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 28.9nC@5V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.64nF@25V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 BUK9Y14-80E,115 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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