FDMC8360LET40

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产商:	ON(安森美)
型号:	FDMC8360LET40
编号:	C000372441
封装:	Power-33-8
海关编码:	EAR99
参数描述:	表面贴装型 N 通道 40V 27A（Ta），141A（Tc） 2.8W（Ta），75W（Tc） Power33
数据手册:

规格

Category

RFFETMOSFET

Operating Temperature Range

-55℃~175℃

Pd-Power Dissipation

0.8W 75W

Width

3.3 mm

VDS

40V

Transistor polarity

MOSFET

Height

0.8 mm

Termination type

SMD/SMT

Length

3.3 mm

Package

Power-33-8

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

40V

连续漏极电流(Id)

27A；141A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

2.1mΩ@27A,10V

功率(Pd)

2.8W；75W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

80nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

5.3nF@20V

工作温度

-55℃~+175℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

14.03155

10+

13.93801

100+

11.41233

250+

11.03816

500+

9.72855

1000+

8.52183

数量(递增量:1):

库存:

219,000

+-

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C000372441 FDMC8360LET40 由 ON(安森美) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000372441 FDMC8360LET40 参考价格 ￥14.0316，实时库存 219000。Power-33-8 Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Pd-Power Dissipation: 0.8W 75W, Width: 3.3 mm, VDS: 40V, Transistor polarity: MOSFET, Height: 0.8 mm, Termination type: SMD/SMT, Length: 3.3 mm, Package: Power-33-8, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 27A；141A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.1mΩ@27A,10V, 功率(Pd): 2.8W；75W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 80nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 5.3nF@20V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 FDMC8360LET40 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。