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SSM3K318R,LF

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:SOT-23F
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 60V 2.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Continuous drain current
2.5A
Qg
7 nC
Height
0.9 mm
VGS
10V
Rds On
0.107Ω
Package
SOT-23F
VDS
60V
Termination type
SMD/SMT
Circuit Branch Number
1Channel
Length
2.9 mm
Width
1.3 mm
Operating Temperature Range
150℃
Transistor polarity
MOSFET
Pd-Power Dissipation
2W
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
2.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
107mΩ@10V,2A
功率(Pd)
1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.8V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
235pF@30V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
3.8353
10+
2.92792
100+
1.61831
1000+
1.028991
3000+
0.92609
9000+
0.87932
数量(递增量:1):
库存:
798,000
最小包装量:
3000
交付周期:
18-20 工作日
共:
3.84
C000382562 SSM3K318R,LF 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000382562 SSM3K318R,LF 参考价格 ¥3.8353,实时库存 798000。SOT-23F Continuous drain current: 2.5A, Qg: 7 nC, Height: 0.9 mm, VGS: 10V, Rds On: 0.107Ω, Package: SOT-23F, VDS: 60V, Termination type: SMD/SMT, Circuit Branch Number: 1Channel, Length: 2.9 mm, Width: 1.3 mm, Operating Temperature Range: 150℃, Transistor polarity: MOSFET, Pd-Power Dissipation: 2W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 2.5A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 107mΩ@10V,2A, 功率(Pd): 1W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.8V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 7nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 235pF@30V。你可以下载 SSM3K318R,LF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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