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产商: | Nexperia(安世) |
型号: | |
编号: | |
封装: | SOT-223-3 |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
数据手册: | |
规格
Pd-Power Dissipation
1.25W
Maximum collector cut-off current
0.05
Collector-emitter voltage
80V
Operating Temperature Range
-65℃~150℃
Collector-Base Voltage VCBO
90V
Qualification level
AEC-Q101
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)
2000@10V,500mA
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)
1.3V@500mA,500uA
C000387671 BSP52,115 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-数字三极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000387671 BSP52,115 参考价格 ¥2.1342,实时库存 870476。SOT-223-3 Pd-Power Dissipation: 1.25W, Length: 6.7 mm, Width: 3.7 mm, Package: SOT-223-3, Maximum collector cut-off current: 0.05, Termination type: SMD/SMT, Transistor polarity: NPN, Collector-emitter voltage: 80V, Operating Temperature Range: -65℃~150℃, Collector-Base Voltage VCBO: 90V, 发射极 - 基极电压 VEBO: 5V, Collector Current Ic: 1A, Height: 1.7 mm, Qualification level: AEC-Q101, 类型: NPN, 集射极击穿电压(Vceo): 80V, 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@10V,500mA, 功率(Pd): 1.25W, 集电极电流(Ic): 1A, 特征频率(fT): 200MHz, 集电极截止电流(Icbo@Vcb): 50nA, 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib): 1.3V@500mA,500uA。你可以下载 BSP52,115 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。