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MMBTA06_R1_00001

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:PANJIT(强茂)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
数据手册:
数据手册
规格
Category
双极晶体管(三极管)
Collector-emitter voltage
80V
Collector Current Ic
0.5A
Package
SOT-23
Pd-Power Dissipation
0.225W
Transistor polarity
NPN
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
80V
功率(Pd)
225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
100@100mA,1V
特征频率(fT)
100MHz
集电极截止电流(Icbo)
100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
250mV@10mA,100mA
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
3000+
0.32585
数量(递增量:3000):
库存:
240,000
最小包装量:
3000
交付周期:
15-18 工作日
共:
977.55
C000387983 MMBTA06_R1_00001 由 PANJIT(强茂) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000387983 MMBTA06_R1_00001 参考价格 ¥0.3259,实时库存 240000。SOT-23 Collector-emitter voltage: 80V, Collector Current Ic: 0.5A, Package: SOT-23, Pd-Power Dissipation: 0.225W, Transistor polarity: NPN, 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 500mA, 集射极击穿电压(Vceo): 80V, 功率(Pd): 225mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@100mA,1V, 特征频率(fT): 100MHz, 集电极截止电流(Icbo): 100nA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,100mA, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 MMBTA06_R1_00001 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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