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产商: | Microchip(微芯) |
型号: | |
编号: | |
封装: | TO-92-3 |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | P-Channel 30V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
数据手册: | |
规格
Circuit Branch Number
1Channel
Pd-Power Dissipation
0.74W
Continuous drain current
0.65A
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Termination type
Through Hole
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
600mΩ@3A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3.5V@10mA
C000401643 VP3203N3-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000401643 VP3203N3-G 参考价格 ¥17.4658,实时库存 13000。TO-92-3 Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: FET, Pd-Power Dissipation: 0.74W, Continuous drain current: 0.65A, Height: 5.33 mm, Package: TO-92-3, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, VDS: 30V, Rds On: 1Ω, VGS: 4.5V, Width: 4.19 mm, Termination type: Through Hole, Length: 5.21 mm, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 650mA, 功率(Pd): 740mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 600mΩ@3A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V@10mA, 输入电容(Ciss@Vds): 300pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 VP3203N3-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。