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IXFH160N15T2

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Length
16.26 mm
Width
5.3 mm
Rds On
0.009Ω
Continuous drain current
160A
Transistor polarity
TrenchT2HiperFETPowerMOSFET
VGS
20V
Package
TO-247-3
VDS
150V
Qg
253 nC
Height
21.46 mm
Circuit Branch Number
1Channel
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Termination type
Through Hole
Pd-Power Dissipation
880W
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
160A
功率(Pd)
880W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
9mΩ@10V,80A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4.5V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
253nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
15nF@25V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
81.00881
10+
74.74139
120+
58.46479
270+
52.478
510+
48.8298
1020+
44.24616
数量(递增量:1):
库存:
180
最小包装量:
30
交付周期:
18-20 工作日
共:
81.01
C000408121 IXFH160N15T2 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000408121 IXFH160N15T2 参考价格 ¥81.0088,实时库存 180。TO-247-3 Length: 16.26 mm, Width: 5.3 mm, Rds On: 0.009Ω, Continuous drain current: 160A, Transistor polarity: TrenchT2HiperFETPowerMOSFET, VGS: 20V, Package: TO-247-3, VDS: 150V, Qg: 253 nC, Height: 21.46 mm, Circuit Branch Number: 1Channel, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Termination type: Through Hole, Pd-Power Dissipation: 880W, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 150V, 连续漏极电流(Id): 160A, 功率(Pd): 880W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,80A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 253nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 15nF@25V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 IXFH160N15T2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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