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STW34NM60N

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ST(意法半导体)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Termination type
Through Hole
VGS
10V
Qg
84 nC
Circuit Branch Number
1Channel
VDS
600V
Package
TO-247-3
Continuous drain current
31.5A
Rds On
0.105Ω
Pd-Power Dissipation
250W
Operating Temperature Range
150℃
Transistor polarity
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
31.5A
功率(Pd)
250W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
92mΩ@10V,14.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
80nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.722nF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)
1.75pF@100V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
64.51655
10+
58.24315
25+
52.74728
100+
47.65894
250+
44.46581
600+
41.17177
数量(递增量:1):
库存:
7,506
最小包装量:
1
交付周期:
13-18 工作日
共:
64.52
C000411362 STW34NM60N 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000411362 STW34NM60N 参考价格 ¥64.5166,实时库存 7506。TO-247-3 Termination type: Through Hole, VGS: 10V, Qg: 84 nC, Circuit Branch Number: 1Channel, VDS: 600V, Package: TO-247-3, Continuous drain current: 31.5A, Rds On: 0.105Ω, Pd-Power Dissipation: 250W, Operating Temperature Range: 150℃, Transistor polarity: MOSFET, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 31.5A, 功率(Pd): 250W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 92mΩ@10V,14.5A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 80nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.722nF@100V, 反向传输电容(Crss@Vds): 1.75pF@100V。你可以下载 STW34NM60N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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