DGTD120T25S1PT

C000428006 DGTD120T25S1PT 由 Diodes(美台) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000428006 DGTD120T25S1PT 参考价格 ￥72.9641，实时库存 4950。TO-247-3 Operating Temperature Range: -40℃~175℃, Collector-emitter voltage: 1200V, Collector Current Ic: 50A, Pd-Power Dissipation: 348W, Max, gate / emitter voltage: 20V, Package: TO-247-3, Termination type: Through Hole, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV, 集电极电流(Ic): 50A, 功率(Pd): 348W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.4V@15V,25A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 204nC, 开启延迟时间(Td(on)): 73ns, 关断延迟时间(Td(off)): 269ns, 导通损耗(Eon): 1.44mJ, 关断损耗(Eoff): 0.55mJ, 反向恢复时间(Trr): 100ns。你可以下载 DGTD120T25S1PT 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。