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DN2530N3-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:TO-92-3
海关编码:EAR99
参数描述:N-Channel 300V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Termination type
Through Hole
VGS
20V
VDS
300V
Length
5.21 mm
Width
4.19 mm
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Circuit Branch Number
1Channel
Transistor polarity
FET
Continuous drain current
0.175A
Rds On
12Ω
Package
TO-92-3
Pd-Power Dissipation
0.74W
Height
5.33 mm
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
300V
连续漏极电流(Id)
175mA
功率(Pd)
740mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
12Ω@150mA,0V
输入电容(Ciss@Vds)
300pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
7.38995
25+
6.08034
100+
5.61262
数量(递增量:1):
库存:
56,000
最小包装量:
1000
交付周期:
18-20 工作日
共:
7.39
C000429075 DN2530N3-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000429075 DN2530N3-G 参考价格 ¥7.39,实时库存 56000。TO-92-3 Termination type: Through Hole, VGS: 20V, VDS: 300V, Length: 5.21 mm, Width: 4.19 mm, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: FET, Continuous drain current: 0.175A, Rds On: 12Ω, Package: TO-92-3, Pd-Power Dissipation: 0.74W, Height: 5.33 mm, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 300V, 连续漏极电流(Id): 175mA, 功率(Pd): 740mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12Ω@150mA,0V, 输入电容(Ciss@Vds): 300pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 DN2530N3-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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