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LSIC1MO120E0080

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Pd-Power Dissipation
179W
Transistor polarity
N沟道
VGS
0.01A 4V
Continuous drain current
39A
VDS
1200V
Rds On
0.1Ω 20A 20V
Package
TO-247-3
沟道类型
1个N沟道
Vds-漏源击穿电压
1200V
Id-漏极电流(25℃)
39A
Pd-功耗
179W
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
195.4127
10+
173.61703
25+
162.01762
50+
156.96626
100+
151.91492
250+
141.71864
数量(递增量:1):
库存:
1
最小包装量:
450
交付周期:
18-20 工作日
共:
195.42
C000434507 LSIC1MO120E0080 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000434507 LSIC1MO120E0080 参考价格 ¥195.4127,实时库存 1。TO-247-3 Pd-Power Dissipation: 179W, Transistor polarity: N沟道, VGS: 0.01A 4V, Continuous drain current: 39A, VDS: 1200V, Rds On: 0.1Ω 20A 20V, Package: TO-247-3, 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 1200V, Id-漏极电流(25℃): 39A, Pd-功耗: 179W。你可以下载 LSIC1MO120E0080 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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