登录
logo
我的购物车

MJD112T4G

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
达林顿管
Collector Current Ic
2A
Collector-emitter voltage
100V
Package
TO-252-2(DPAK)
Pd-Power Dissipation
20W
Transistor type
NPN-达林顿
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)
1000@3V,2A
功率(Pd)
20W
集电极电流(Ic)
2A
特征频率(fT)
25MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)
20uA
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)
3V@4A,40mA
工作温度
-65℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
6.17389
10+
5.2478
100+
3.65756
500+
3.05888
1000+
2.60052
2500+
2.31989
数量(递增量:1):
库存:
232,500
最小包装量:
2500
交付周期:
18-20 工作日
共:
6.18
C000437004 MJD112T4G 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-达林顿管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000437004 MJD112T4G 参考价格 ¥6.1739,实时库存 232500。TO-252-2(DPAK) Collector Current Ic: 2A, Collector-emitter voltage: 100V, Package: TO-252-2(DPAK), Pd-Power Dissipation: 20W, Transistor type: NPN-达林顿, 类型: NPN, 集射极击穿电压(Vceo): 100V, 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,2A, 功率(Pd): 20W, 集电极电流(Ic): 2A, 特征频率(fT): 25MHz, 集电极截止电流(Icbo@Vcb): 20uA, 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib): 3V@4A,40mA, 工作温度: -65℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 MJD112T4G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!