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产商: | ON(安森美) |
型号: | |
编号: | |
封装: | TO-252-2(DPAK) |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | |
数据手册: | |
规格
Collector-emitter voltage
100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)
1000@3V,2A
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)
3V@4A,40mA
C000437004 MJD112T4G 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-达林顿管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000437004 MJD112T4G 参考价格 ¥6.1739,实时库存 232500。TO-252-2(DPAK) Collector Current Ic: 2A, Collector-emitter voltage: 100V, Package: TO-252-2(DPAK), Pd-Power Dissipation: 20W, Transistor type: NPN-达林顿, 类型: NPN, 集射极击穿电压(Vceo): 100V, 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,2A, 功率(Pd): 20W, 集电极电流(Ic): 2A, 特征频率(fT): 25MHz, 集电极截止电流(Icbo@Vcb): 20uA, 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib): 3V@4A,40mA, 工作温度: -65℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 MJD112T4G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。