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YJD80N03A

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:YANGJIE(扬杰)
型号:
编号:
封装:TO-252
海关编码:EAR99
参数描述:YJD80N03A TO-252
数据手册:
规格
Category
RFFETMOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
3.6mΩ@10V,15A
功率(Pd)
54W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
54nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.504nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)
283pF@15V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
2500+
1.04236
数量(递增量:2500):
库存:
25,000
最小包装量:
2500
交付周期:
46-60 工作日
共:
2,605.90
C000437477 YJD80N03A 由 YANGJIE(扬杰) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000437477 YJD80N03A 参考价格 ¥1.0424,实时库存 25000。TO-252 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 80A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.6mΩ@10V,15A, 功率(Pd): 54W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 54nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.504nF@15V, 反向传输电容(Crss@Vds): 283pF@15V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 YJD80N03A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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