IXGH48N60B3D1

C000461466 IXGH48N60B3D1 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000461466 IXGH48N60B3D1 参考价格 ￥90.5503，实时库存 4680。TO-247AD Width: 5.3 mm, Pd-Power Dissipation: 300W, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Length: 16.26 mm, Package: TO-247AD, Collector Current Ic: 48A, Collector-emitter voltage: 600V, Termination type: Through Hole, Max, gate / emitter voltage: 20V, Height: 21.46 mm, IGBT类型: PT(穿通型), 集射极击穿电压(Vces): 600V, 功率(Pd): 300W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 1.8V@15V,32A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 115nC, 开启延迟时间(Td(on)): 22ns, 关断延迟时间(Td(off)): 130ns, 导通损耗(Eon): 0.84mJ, 关断损耗(Eoff): 0.66mJ, 反向恢复时间(Trr): 100ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXGH48N60B3D1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。