登录
logo
我的购物车

BFR183E6327HTSA1

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Infineon(英飞凌)
型号:
编号:
封装:SOT-23-3
海关编码:EAR99
参数描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount SOT-23-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Transistor type
NPN
Termination type
表面贴装型
Power range
0.45W
Package
SOT-23-3
Operating Temperature Range
150°C(TJ)
Gain
5dB
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
65mA
集射极击穿电压(Vceo)
12V
功率(Pd)
450mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
70@15mA,8V
特征频率(fT)
8GHz
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
3.43118
100+
2.15089
500+
1.47234
1000+
1.12153
数量(递增量:1):
库存:
320,116
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
17.16
C000466948 BFR183E6327HTSA1 由 Infineon(英飞凌) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000466948 BFR183E6327HTSA1 参考价格 ¥3.4312,实时库存 320116。SOT-23-3 Transistor type: NPN, Termination type: 表面贴装型, Power range: 0.45W, Package: SOT-23-3, Operating Temperature Range: 150°C(TJ), Gain: 5dB, 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 65mA, 集射极击穿电压(Vceo): 12V, 功率(Pd): 450mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 70@15mA,8V, 特征频率(fT): 8GHz。你可以下载 BFR183E6327HTSA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!