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DGD2181S8-13

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Diodes(美台)
型号:
编号:
封装:SO-8
海关编码:EAR99
参数描述:半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SO
数据手册:
数据手册
规格
Category
驱动芯片
Power Supply Current
20V~10V
Operating Supply Voltage
20V~10V
Output Current
2.3A
Package
SO-8
Termination type
SMD/SMT
Fan-out Factor
2 Output
Circuit Branch Number
Driver
Pd-Power Dissipation
0.625W
Types
High Side, Low Side
Operating Temperature Range
125℃~-40℃
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
峰值灌电流
2.3A
峰值拉电流
1.9A
电源电压
10V~20V
上升时间
40ns
下降时间
20ns
工作温度
-40℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
15.3888
10+
13.78384
25+
13.08139
100+
10.74661
250+
10.04555
500+
8.87747
数量(递增量:1):
库存:
980,000
最小包装量:
2500
交付周期:
14-19 工作日
共:
15.39
C000478631 DGD2181S8-13 由 Diodes(美台) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-驱动器IC-驱动芯片 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000478631 DGD2181S8-13 参考价格 ¥15.3888,实时库存 980000。SO-8 Power Supply Current: 20V~10V, Operating Supply Voltage: 20V~10V, Output Current: 2.3A, Package: SO-8, Termination type: SMD/SMT, Fan-out Factor: 2 Output, Circuit Branch Number: Driver, Pd-Power Dissipation: 0.625W, Types: High Side, Low Side, Operating Temperature Range: 125℃~-40℃, 驱动配置: 半桥, 负载类型: MOSFET;IGBT, 驱动通道数: 2, 峰值灌电流: 2.3A, 峰值拉电流: 1.9A, 电源电压: 10V~20V, 上升时间: 40ns, 下降时间: 20ns, 工作温度: -40℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 DGD2181S8-13 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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