BSR802N L6327

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产商:	Infineon(英飞凌)
型号:	BSR802N L6327
编号:	C000489340
封装:	SC-59-3
海关编码:	EAR99
参数描述:	MOSFET N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

Continuous drain current

3.7A

Width

1.3 mm

Operating Temperature Range

-55℃~150℃

VGS

2.5V

Termination type

SMD/SMT

Length

2.9 mm

Package

SC-59-3

Pd-Power Dissipation

0.5W

Circuit Branch Number

1Channel

Transistor polarity

MOSFET

VDS

20V

Height

1.1 mm

Rds On

0.023Ω

Qg

4.7 nC

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3.7A

功率(Pd)

500mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

23mΩ@2.5V,3.7A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

750mV@30uA

店铺:

1001

入驻

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数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

5.51908

10+

4.8175

100+

3.60144

500+

2.82502

1000+

2.17957

3000+

1.99248

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C000489340 BSR802N L6327 由 Infineon(英飞凌) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000489340 BSR802N L6327 参考价格 ￥5.5191，实时库存 126000。SC-59-3 Continuous drain current: 3.7A, Width: 1.3 mm, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VGS: 2.5V, Termination type: SMD/SMT, Length: 2.9 mm, Package: SC-59-3, Pd-Power Dissipation: 0.5W, Circuit Branch Number: 1Channel, Transistor polarity: MOSFET, VDS: 20V, Height: 1.1 mm, Rds On: 0.023Ω, Qg: 4.7 nC, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 3.7A, 功率(Pd): 500mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@2.5V,3.7A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 750mV@30uA。你可以下载 BSR802N L6327 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。