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FFSM1065B

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:PQFN-4
海关编码:EAR99
参数描述:Diode SiC Schottky 650V 13.5A 5-Pin PQFN T/R
数据手册:
规格
Category
整流二极管
Vf-Forward Voltage
1.38V
Temperature Coefficient
碳化硅
Operating Temperature-Min
-55℃
Operating Temperature-Max
+175℃
Forward Surge Current
42A
Configuration
独立式
Operating Temperature Range
-55℃~+175℃
Vr-reverse voltage
650V
Reverse recovery time
0nS
Package
PQFN-4
If-forward Current
13.5A
Reverse Leakage Current
0.0000005A
Termination type
贴片
junction capacitance
424pF
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
28.71791
10+
24.4149
100+
20.01835
250+
19.45709
500+
18.05393
1000+
15.6218
数量(递增量:1):
库存:
78,000
最小包装量:
3000
交付周期:
18-20 工作日
共:
28.72

C000500718 FFSM1065B 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-二极管-整流二极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000500718 FFSM1065B 参考价格 ¥28.7179,实时库存 78000。PQFN-4 Vf-Forward Voltage: 1.38V, Temperature Coefficient: 碳化硅, Operating Temperature-Min: -55℃, Operating Temperature-Max: +175℃, Forward Surge Current: 42A, Configuration: 独立式, Operating Temperature Range: -55℃~+175℃, Vr-reverse voltage: 650V, Reverse recovery time: 0nS, Package: PQFN-4, If-forward Current: 13.5A, Reverse Leakage Current: 0.0000005A, Termination type: 贴片, junction capacitance: 424pF。你可以下载 FFSM1065B 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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