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RS1E281BNTB1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:HSOP-8
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 30V 28A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta) 8-HSOP
数据手册:
规格
Category
MOSFET
VDS
30V
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Continuous drain current
80A
Qg
94 nC
Transistor polarity
MOSFET
Package
HSOP-8
Rds On
0.0023Ω
VGS
20V
Pd-Power Dissipation
30W
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
28A;80A
功率(Pd)
3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2.3mΩ@28A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
94nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
5.1nF@15V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
2500+
7.91354
5000+
7.6161
12500+
7.36397
数量(递增量:2500):
库存:
7,500
最小包装量:
2500
交付周期:
14-19 工作日
共:
19,783.85
C000505679 RS1E281BNTB1 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000505679 RS1E281BNTB1 参考价格 ¥7.9135,实时库存 7500。HSOP-8 VDS: 30V, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Continuous drain current: 80A, Qg: 94 nC, Transistor polarity: MOSFET, Package: HSOP-8, Rds On: 0.0023Ω, VGS: 20V, Pd-Power Dissipation: 30W, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 28A;80A, 功率(Pd): 3W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@28A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 94nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 5.1nF@15V。你可以下载 RS1E281BNTB1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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