RGTVX6TS65DGC11

C000511162 RGTVX6TS65DGC11 由 ROHM(罗姆) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000511162 RGTVX6TS65DGC11 参考价格 ￥84.4968，实时库存 3600。TO-247N VDS: 650V, Pd-Power Dissipation: 404W, VGS: 45ns/201ns, Operating Temperature Range: -40℃~175℃, Package: TO-247N, Transistor polarity: 沟槽型场截止, Termination type: 通孔, IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 144A, 功率(Pd): 404W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 1.9V@15V,80A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 171nC, 开启延迟时间(Td(on)): 45ns, 关断延迟时间(Td(off)): 201ns, 导通损耗(Eon): 2.65mJ, 关断损耗(Eoff): 1.8mJ, 反向恢复时间(Trr): 109ns, 工作温度: -40℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 RGTVX6TS65DGC11 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。