产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商: | Nexperia(安世) |
型号: | |
编号: | |
封装: | SOT-669 |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
数据手册: | |
规格
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Continuous drain current
100A
On-Resistance
2.8mΩ@VGS=10V
input capacitance(Ciss@Vds)
3776pF
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2.8mΩ@10V,25A
输入电容(Ciss@Vds)
3.776nF@12V
C000524496 PSMN2R6-40YS,115 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000524496 PSMN2R6-40YS,115 参考价格 ¥9.0522,实时库存 1145191。SOT-669 Package: SOT-669, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Pd-Power Dissipation: 131W, Termination type: 贴片, Qualification level: -, Continuous drain current: 100A, On-Resistance: 2.8mΩ@VGS=10V, Qg: 50nC@VGS=10V, Vdss: 40V, Vgs: 3V, input capacitance(Ciss@Vds): 3776pF, Types: N-channel, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 100A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,25A, 功率(Pd): 131W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 63nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 3.776nF@12V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 PSMN2R6-40YS,115 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。