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SH8K41GZETB

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:SOP-8
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 80V 3.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOP
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Continuous drain current
3.4A
Rds On
0.09Ω
Transistor polarity
MOSFET
Pd-Power Dissipation
2W
VGS
20V
VDS
80V
Qg
6.6 nC, 6.6 nC
Circuit Branch Number
2Channel
Termination type
SMD/SMT
Package
SOP-8
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
类型
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
3.4A
功率(Pd)
1.4W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
130mΩ@3.4A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
6.6nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)
600pF@10V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
8.04476
10+
6.60419
100+
5.13555
500+
4.35914
1000+
3.55466
2500+
3.35822
数量(递增量:1):
库存:
187,500
最小包装量:
2500
交付周期:
18-20 工作日
共:
8.05
C000527631 SH8K41GZETB 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000527631 SH8K41GZETB 参考价格 ¥8.0448,实时库存 187500。SOP-8 Continuous drain current: 3.4A, Rds On: 0.09Ω, Transistor polarity: MOSFET, Pd-Power Dissipation: 2W, VGS: 20V, VDS: 80V, Qg: 6.6 nC, 6.6 nC, Circuit Branch Number: 2Channel, Termination type: SMD/SMT, Package: SOP-8, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, 类型: 2个N沟道, 漏源电压(Vdss): 80V, 连续漏极电流(Id): 3.4A, 功率(Pd): 1.4W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@3.4A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 6.6nC@5V, 输入电容(Ciss@Vds): 600pF@10V。你可以下载 SH8K41GZETB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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