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NSVJ3910SB3T1G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:CPH-3
海关编码:EAR99
参数描述:JFET N 通道 25V 50mA 400mW 表面贴装型 3-CPH
数据手册:
数据手册
规格
Category
结型场效应晶体管(JFET)
Pd-Power Dissipation
0.4W
VDS
25V
Height
0.9 mm
Transistor polarity
JFET
Length
2.9 mm
Width
1.6 mm
Continuous drain current
0.05A
Qualification level
AEC-Q101
Termination type
SMD/SMT
Package
CPH-3
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
VGS
600mV
FET类型
N沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)
600mV@100uA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)
25V
功率(Pd)
400mW
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)
20mA@5V
输入电容(Ciss@Vds)
6pF@5V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
5.2876
10+
4.23776
100+
3.14952
500+
2.68861
数量(递增量:1):
库存:
160,097
最小包装量:
1
交付周期:
14-16 工作日
共:
26.44
C000550362 NSVJ3910SB3T1G 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-结型场效应晶体管(JFET) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000550362 NSVJ3910SB3T1G 参考价格 ¥5.2876,实时库存 160097。CPH-3 Pd-Power Dissipation: 0.4W, VDS: 25V, Height: 0.9 mm, Transistor polarity: JFET, Length: 2.9 mm, Width: 1.6 mm, Continuous drain current: 0.05A, Qualification level: AEC-Q101, Termination type: SMD/SMT, Package: CPH-3, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VGS: 600mV, FET类型: N沟道, 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 600mV@100uA, 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V, 功率(Pd): 400mW, 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 20mA@5V, 输入电容(Ciss@Vds): 6pF@5V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 NSVJ3910SB3T1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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