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SI2302-TP

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:MCC(美微科)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:EAR99
参数描述:N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Termination type
表面贴装型
Continuous drain current
3A
VDS
20V
Package
SOT-23
Pd-Power Dissipation
1.25W
Rds On
0.072Ω 3.6A 4.5V
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3A
功率(Pd)
1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
72mΩ@4.5V,3.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.2V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
10nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
237pF@10V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.02238
10+
2.86244
100+
1.28155
1000+
1.07576
3000+
0.87932
数量(递增量:1):
库存:
681,000
最小包装量:
3000
交付周期:
18-20 工作日
共:
4.03
C000552327 SI2302-TP 由 MCC(美微科) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000552327 SI2302-TP 参考价格 ¥4.0224,实时库存 681000。SOT-23 Termination type: 表面贴装型, Continuous drain current: 3A, VDS: 20V, Package: SOT-23, Pd-Power Dissipation: 1.25W, Rds On: 0.072Ω 3.6A 4.5V, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 3A, 功率(Pd): 1.25W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 72mΩ@4.5V,3.6A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.2V@50uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 10nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 237pF@10V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SI2302-TP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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