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L6491DTR

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ST(意法半导体)
型号:
编号:
封装:SO-14
海关编码:EAR99
参数描述:Driver 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SO T/R
数据手册:
数据手册
规格
Category
驱动芯片
Power Supply Current
20V~10V
Package
SO-14
Types
High Side, Low Side
Pd-Power Dissipation
1W
Fan-out Factor
1 Output
Circuit Branch Number
Driver
Termination type
SMD/SMT
Output Current
4A
Operating Supply Voltage
20V~10V
Operating Temperature Range
125℃~-40℃
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
峰值灌电流
4A
峰值拉电流
4A
电源电压
10V~20V
上升时间
15ns
下降时间
15ns
工作温度
-40℃~+125℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
2500+
10.67377
5000+
10.28314
数量(递增量:2500):
库存:
92,500
最小包装量:
2500
交付周期:
17-19 工作日
共:
26,684.43
C000557793 L6491DTR 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-驱动器IC-驱动芯片 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000557793 L6491DTR 参考价格 ¥10.6738,实时库存 92500。SO-14 Power Supply Current: 20V~10V, Package: SO-14, Types: High Side, Low Side, Pd-Power Dissipation: 1W, Fan-out Factor: 1 Output, Circuit Branch Number: Driver, Termination type: SMD/SMT, Output Current: 4A, Operating Supply Voltage: 20V~10V, Operating Temperature Range: 125℃~-40℃, 驱动配置: 半桥, 负载类型: MOSFET;IGBT, 峰值灌电流: 4A, 峰值拉电流: 4A, 电源电压: 10V~20V, 上升时间: 15ns, 下降时间: 15ns, 工作温度: -40℃~+125℃@(Tj)。你可以下载 L6491DTR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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