G1002L

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产商:	Goford
型号:	G1002L
编号:	C000558523
封装:	SOT-23-3L
海关编码:	EAR99
参数描述:	N沟道,100V,2A,180mΩ@10V
数据手册:

规格

Category

MOSFET

Continuous drain current

2A

Pd-Power Dissipation

1.1W

Rds On

1A 10V 0.25Ω

Transistor polarity

N沟道

VDS

100V

VGS

2.5V 0.00025A

Package

SOT-23-3L

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

190mΩ

功率(Pd)

1.3W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

2V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

10nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

413pF@50V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

3000+

0.98992

6000+

0.96784

9000+

0.85723

30000+

0.84614

75000+

0.71891

数量(递增量:3000):

库存:

27,000

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C000558523 G1002L 由 Goford 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000558523 G1002L 参考价格 ￥0.9899，实时库存 27000。SOT-23-3L Continuous drain current: 2A, Pd-Power Dissipation: 1.1W, Rds On: 1A 10V 0.25Ω, Transistor polarity: N沟道, VDS: 100V, VGS: 2.5V 0.00025A, Package: SOT-23-3L, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 2A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ, 功率(Pd): 1.3W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 10nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 413pF@50V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 G1002L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。