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PSMN069-100YS,115

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Nexperia(安世)
型号:
编号:
封装:SOT-669
海关编码:EAR99
参数描述:表面贴装型 N 通道 100V 17A(Tc) 56W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
VDS
100V
Package
SOT-669
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
Pd-Power Dissipation
56W
Termination type
表面贴装型
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
17A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
72.4mΩ@10V,5A
功率(Pd)
56W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
14nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
645pF@50V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
6.13664
10+
5.28695
100+
3.66215
500+
3.06001
数量(递增量:1):
库存:
330,000
最小包装量:
1500
交付周期:
14-19 工作日
共:
6.14
C000559574 PSMN069-100YS,115 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000559574 PSMN069-100YS,115 参考价格 ¥6.1366,实时库存 330000。SOT-669 VDS: 100V, Package: SOT-669, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Pd-Power Dissipation: 56W, Termination type: 表面贴装型, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 17A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 72.4mΩ@10V,5A, 功率(Pd): 56W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 14nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 645pF@50V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 PSMN069-100YS,115 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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