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TPH1R306PL,L1Q

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:SOP-8
海关编码:EAR99
参数描述:MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Continuous drain current
260A
Rds On
0.00134Ω
Pd-Power Dissipation
170W
Termination type
SMD/SMT
Package
SOP-8
Operating Temperature Range
175℃
VDS
60V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1.34mΩ@50A,10V
功率(Pd)
960mW;170W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
91nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
8.1nF@30V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
18.61519
10+
15.52825
100+
12.34777
250+
11.31879
500+
10.28981
1000+
8.86794
数量(递增量:1):
库存:
170,000
最小包装量:
5000
交付周期:
18-20 工作日
共:
18.62
C000560304 TPH1R306PL,L1Q 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000560304 TPH1R306PL,L1Q 参考价格 ¥18.6152,实时库存 170000。SOP-8 Continuous drain current: 260A, Rds On: 0.00134Ω, Pd-Power Dissipation: 170W, Termination type: SMD/SMT, Package: SOP-8, Operating Temperature Range: 175℃, VDS: 60V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 100A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.34mΩ@50A,10V, 功率(Pd): 960mW;170W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 91nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 8.1nF@30V。你可以下载 TPH1R306PL,L1Q 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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