登录
logo
我的购物车

VP2450N8-G

img
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:SOT-89-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
VGS
10V
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Continuous drain current
0.16A
Rds On
30Ω
VDS
500V
Transistor polarity
MOSFET
Package
SOT-89-3
Pd-Power Dissipation
0.6W
Height
1.6 mm
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
Length
4.6 mm
Width
2.6 mm
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
160mA
功率(Pd)
1.6W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
30Ω@10V,100mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
190pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
2000+
15.29439
数量(递增量:2000):
库存:
46,000
最小包装量:
2000
交付周期:
14-19 工作日
共:
30,588.78
C000591963 VP2450N8-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000591963 VP2450N8-G 参考价格 ¥15.2944,实时库存 46000。SOT-89-3 VGS: 10V, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Continuous drain current: 0.16A, Rds On: 30Ω, VDS: 500V, Transistor polarity: MOSFET, Package: SOT-89-3, Pd-Power Dissipation: 0.6W, Height: 1.6 mm, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, Length: 4.6 mm, Width: 2.6 mm, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 500V, 连续漏极电流(Id): 160mA, 功率(Pd): 1.6W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30Ω@10V,100mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V@1mA, 输入电容(Ciss@Vds): 190pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 VP2450N8-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
RFQ
登录显示更多福利!