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IXFH22N65X2

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:N-CH 650V 22A
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Package
TO-247-3
Transistor polarity
MOSFET
VDS
650V
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
Through Hole
Rds On
0.16Ω
Pd-Power Dissipation
390W
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Qg
38 nC
VGS
30V
Continuous drain current
22A
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
22A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
160mΩ@10V,11A
功率(Pd)
390W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
5.5V@1.5mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
38nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.31nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
60.14858
30+
47.9879
120+
42.00111
270+
41.43985
510+
37.04329
1020+
31.24359
数量(递增量:1):
库存:
270
最小包装量:
30
交付周期:
18-20 工作日
共:
60.15
C000603498 IXFH22N65X2 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000603498 IXFH22N65X2 参考价格 ¥60.1486,实时库存 270。TO-247-3 Package: TO-247-3, Transistor polarity: MOSFET, VDS: 650V, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: Through Hole, Rds On: 0.16Ω, Pd-Power Dissipation: 390W, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Qg: 38 nC, VGS: 30V, Continuous drain current: 22A, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 650V, 连续漏极电流(Id): 22A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@10V,11A, 功率(Pd): 390W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 5.5V@1.5mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 38nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.31nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXFH22N65X2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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