IPB038N12N3GATMA1

C000612477 IPB038N12N3GATMA1 由 Infineon(英飞凌) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000612477 IPB038N12N3GATMA1 参考价格 ￥38.3867，实时库存 56900。TO-263-3 Qg: 211 nC, Rds On: 0.0032Ω, Package: TO-263-3, Width: 9.25 mm, Length: 10 mm, Continuous drain current: 120A, VGS: 20V, Operating Temperature Range: -55℃~175℃, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, Pd-Power Dissipation: 300W, Transistor polarity: MOSFET, VDS: 120V, Height: 4.4 mm, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 120V, 连续漏极电流(Id): 120A, 功率(Pd): 300W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.8mΩ@100A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@270uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 211nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 13.8nF@60V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 IPB038N12N3GATMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。