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STGWA40H65DFB

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ST(意法半导体)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
Collector-emitter voltage
650V
Package
TO-247-3
Termination type
Through Hole
Max, gate / emitter voltage
20V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
Pd-Power Dissipation
283W
Collector Current Ic
80A
Operating Temperature Range
-55℃~175℃
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
32.5532
10+
27.4083
25+
25.81806
100+
22.16985
250+
20.95378
600+
19.73772
数量(递增量:1):
库存:
4,800
最小包装量:
600
交付周期:
18-20 工作日
共:
32.56
C000618660 STGWA40H65DFB 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000618660 STGWA40H65DFB 参考价格 ¥32.5532,实时库存 4800。TO-247-3 Collector-emitter voltage: 650V, Package: TO-247-3, Termination type: Through Hole, Max, gate / emitter voltage: 20V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Pd-Power Dissipation: 283W, Collector Current Ic: 80A, Operating Temperature Range: -55℃~175℃。你可以下载 STGWA40H65DFB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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