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FGH75T65SQD-F155

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
Pd-Power Dissipation
375W
Collector-emitter voltage
650V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
Package
TO-247-3
Operating Temperature Range
175℃~-55℃
Collector Current Ic
150A
Termination type
Through Hole
Max, gate / emitter voltage
20V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
58.18416
10+
53.03926
30+
46.11703
120+
39.47543
270+
38.25936
510+
35.82723
数量(递增量:1):
库存:
35,130
最小包装量:
30
交付周期:
18-20 工作日
共:
58.19
C000620273 FGH75T65SQD-F155 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000620273 FGH75T65SQD-F155 参考价格 ¥58.1842,实时库存 35130。TO-247-3 Pd-Power Dissipation: 375W, Collector-emitter voltage: 650V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Package: TO-247-3, Operating Temperature Range: 175℃~-55℃, Collector Current Ic: 150A, Termination type: Through Hole, Max, gate / emitter voltage: 20V。你可以下载 FGH75T65SQD-F155 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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