J111-D26Z

C000621908 J111-D26Z 由 ON(安森美) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-结型场效应晶体管(JFET) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000621908 J111-D26Z 参考价格 ￥4.1733，实时库存 654852。TO-92-3 VGS: 3V, Termination type: Through Hole, Pd-Power Dissipation: 0.625W, Transistor polarity: JFET, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Package: TO-92-3, FET类型: N沟道, 栅源截止电压(VGS(off)@ID): 3V@1uA, 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 35V, 功率(Pd): 625mW, 漏源导通电阻(RDS(on)): 30Ω, 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 20mA@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 J111-D26Z 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。