JAN1N5620

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产商:	Microsemi(美高森美)
型号:	JAN1N5620
编号:	C000623973
封装:
海关编码:	EAR99
参数描述:	DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
数据手册:

规格

Category

整流二极管

Reverse recovery time

2000nS

Termination type

通孔

Vr-reverse voltage

800V

If-forward Current

1A

Reverse Leakage Current

0.0000005A

Operating Temperature Range

-65℃~+200℃

Operating Temperature-Max

+200℃

Operating Temperature-Min

-65℃

Vf-Forward Voltage

1.3V

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

83.53449

10+

75.39619

25+

71.93508

100+

62.39363

250+

59.58732

500+

54.34887

数量(递增量:1):

库存:

1,316

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C000623973 JAN1N5620 由 Microsemi(美高森美) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-二极管-整流二极管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000623973 JAN1N5620 参考价格 ￥83.5345，实时库存 1316。 Reverse recovery time: 2000nS, Termination type: 通孔, Vr-reverse voltage: 800V, If-forward Current: 1A, Reverse Leakage Current: 0.0000005A, Operating Temperature Range: -65℃~+200℃, Operating Temperature-Max: +200℃, Operating Temperature-Min: -65℃, Vf-Forward Voltage: 1.3V。你可以下载 JAN1N5620 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。