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VP0104N3-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:TO-92-3
海关编码:EAR99
参数描述:通孔 P 通道 40V 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
VDS
40V
Width
4.19 mm
Package
TO-92-3
Continuous drain current
0.25A
Height
5.33 mm
Pd-Power Dissipation
1W
Rds On
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
Through Hole
VGS
10V
Transistor polarity
FET
Length
5.21 mm
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
250mA
功率(Pd)
1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
8Ω@500mA,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
60pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
9.54146
25+
8.04476
100+
7.29641
数量(递增量:1):
库存:
11
最小包装量:
1000
交付周期:
18-20 工作日
共:
9.55
C000637633 VP0104N3-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000637633 VP0104N3-G 参考价格 ¥9.5415,实时库存 11。TO-92-3 VDS: 40V, Width: 4.19 mm, Package: TO-92-3, Continuous drain current: 0.25A, Height: 5.33 mm, Pd-Power Dissipation: 1W, Rds On: 8Ω, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: Through Hole, VGS: 10V, Transistor polarity: FET, Length: 5.21 mm, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 250mA, 功率(Pd): 1W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8Ω@500mA,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.5V@1mA, 输入电容(Ciss@Vds): 60pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 VP0104N3-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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