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集成电路
射频/无线电
RFFETMOSFET
TP0620N3-G
TP0620N3-G
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:
Microchip(微芯)
型号:
TP0620N3-G
编号:
C000646001
封装:
TO-92-3
海关编码:
EAR99
参数描述:
通孔 P 通道 200V 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Height
5.33 mm
Circuit Branch Number
1Channel
Rds On
12Ω
Termination type
Through Hole
Package
TO-92-3
VGS
20V
Transistor polarity
FET
Continuous drain current
0.175A
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Pd-Power Dissipation
1W
Width
4.19 mm
VDS
200V
Length
5.21 mm
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
175mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
12Ω@200mA,10V
功率(Pd)
1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.4V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
150pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)