PJT7600_R1_00001

C000660650 PJT7600_R1_00001 由 PANJIT(强茂) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000660650 PJT7600_R1_00001 参考价格 ￥4.3966，实时库存 216000。SOT-363 Rds On: 0.5A 0.4Ω 0.3A 0.6Ω 1.8V, Pd-Power Dissipation: 0.35W, VDS: 20V, Transistor polarity: N沟道和P沟道, Continuous drain current: 0.7A 1A, VGS: 1V 0.00025A, Package: SOT-363, 类型: 1个N沟道+1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 1A；700mA, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 150mΩ@1A,4.5V；325mΩ@700mA,4.5V, 功率(Pd): 350mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 1.6nC@4.5V；2.2nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 92pF@10V；151pF@10V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 PJT7600_R1_00001 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。