STGWA75H65DFB2

C000674152 STGWA75H65DFB2 由 ST(意法半导体) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000674152 STGWA75H65DFB2 参考价格 ￥53.8378，实时库存 5760。TO-247-3 Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Max, gate / emitter voltage: 20V, Package: TO-247-3, Pd-Power Dissipation: 375W, Operating Temperature Range: 175℃~-55℃, Collector-emitter voltage: 650V, Collector Current Ic: 115A, Termination type: Through Hole, IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 115A, 功率(Pd): 357W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2V@15V,75A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 207nC, 开启延迟时间(Td(on)): 28ns, 关断延迟时间(Td(off)): 100ns, 导通损耗(Eon): 1.428mJ, 关断损耗(Eoff): 1.05mJ, 反向恢复时间(Trr): 88ns, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 STGWA75H65DFB2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。