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射频/无线电
RFFETMOSFET
TN2106N3-G
TN2106N3-G
产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:
Microchip(微芯)
型号:
TN2106N3-G
编号:
C000674446
封装:
TO-92-3
海关编码:
EAR99
参数描述:
N-Channel 60V 300mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Package
TO-92-3
Rds On
2.5Ω
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Transistor polarity
FET
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
Through Hole
Width
4.19 mm
Pd-Power Dissipation
0.74W
Height
5.33 mm
Continuous drain current
0.3A
VGS
10V
Length
5.21 mm
VDS
60V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2.5Ω@500mA,10V
功率(Pd)
740mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
50pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)