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TN2106N3-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:TO-92-3
海关编码:EAR99
参数描述:N-Channel 60V 300mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3
数据手册:
数据手册
规格
Category
RFFETMOSFET
Package
TO-92-3
Rds On
2.5Ω
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
Transistor polarity
FET
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
Through Hole
Width
4.19 mm
Pd-Power Dissipation
0.74W
Height
5.33 mm
Continuous drain current
0.3A
VGS
10V
Length
5.21 mm
VDS
60V
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
2.5Ω@500mA,10V
功率(Pd)
740mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
50pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
6.36097
25+
5.23845
100+
4.86428
数量(递增量:1):
库存:
11,000
最小包装量:
1000
交付周期:
18-20 工作日
共:
6.37
C000674446 TN2106N3-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-射频/无线电-RFFETMOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000674446 TN2106N3-G 参考价格 ¥6.361,实时库存 11000。TO-92-3 Package: TO-92-3, Rds On: 2.5Ω, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, Transistor polarity: FET, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: Through Hole, Width: 4.19 mm, Pd-Power Dissipation: 0.74W, Height: 5.33 mm, Continuous drain current: 0.3A, VGS: 10V, Length: 5.21 mm, VDS: 60V, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 300mA, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.5Ω@500mA,10V, 功率(Pd): 740mW, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V@1mA, 输入电容(Ciss@Vds): 50pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 TN2106N3-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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