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25P06

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Goford
型号:
编号:
封装:TO-252-2(DPAK)
海关编码:EAR99
参数描述:P沟道,-60V,-25A,45mΩ@-10V
数据手册:
规格
Category
MOSFET
VGS
3.5V 0.00025A
VDS
60V
Rds On
0.045Ω 10V 20A
Transistor polarity
P沟道
Package
TO-252-2(DPAK)
Pd-Power Dissipation
90W
Continuous drain current
25A
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
25A
功率(Pd)
100W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
31mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
37nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
3.384nF@30V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
2500+
3.25385
5000+
3.09899
12500+
2.9559
25000+
2.95027
数量(递增量:2500):
库存:
37,500
最小包装量:
2500
交付周期:
14-19 工作日
共:
8,134.63

C000676681 25P06 由 Goford 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000676681 25P06 参考价格 ¥3.2539,实时库存 37500。TO-252-2(DPAK) VGS: 3.5V 0.00025A, VDS: 60V, Rds On: 0.045Ω 10V 20A, Transistor polarity: P沟道, Package: TO-252-2(DPAK), Pd-Power Dissipation: 90W, Continuous drain current: 25A, 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 25A, 功率(Pd): 100W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 31mΩ, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 37nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 3.384nF@30V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 25P06 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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