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VN2460N8-G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:SOT-89-3
海关编码:EAR99
参数描述:N沟道,600V;200mA,20Ω@100mA,10V
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
Width
2.6 mm
VGS
10V
Pd-Power Dissipation
0.6W
Package
SOT-89-3
Operating Temperature Range
-55℃~150℃
VDS
600V
Height
1.6 mm
Length
4.6 mm
Rds On
20Ω
Circuit Branch Number
1Channel
Termination type
SMD/SMT
Continuous drain current
0.2A
Transistor polarity
FET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
25Ω@4.5V,100mA
功率(Pd)
1.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@2mA
输入电容(Ciss@Vds)
150pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
14.40573
25+
11.97359
100+
10.75753
数量(递增量:1):
库存:
10,000
最小包装量:
2000
交付周期:
18-20 工作日
共:
14.41
C000711657 VN2460N8-G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000711657 VN2460N8-G 参考价格 ¥14.4057,实时库存 10000。SOT-89-3 Width: 2.6 mm, VGS: 10V, Pd-Power Dissipation: 0.6W, Package: SOT-89-3, Operating Temperature Range: -55℃~150℃, VDS: 600V, Height: 1.6 mm, Length: 4.6 mm, Rds On: 20Ω, Circuit Branch Number: 1Channel, Termination type: SMD/SMT, Continuous drain current: 0.2A, Transistor polarity: FET, 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 200mA, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25Ω@4.5V,100mA, 功率(Pd): 1.6W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@2mA, 输入电容(Ciss@Vds): 150pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 VN2460N8-G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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