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产商: | ST(意法半导体) |
型号: | |
编号: | |
封装: | TO-247-3 |
海关编码: | EAR99 |
参数描述: | Vce=600V,Ic=80A,Vce(sat)=2V |
数据手册: | |
规格
Collector-emitter saturation voltage
30A 4V 15V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
Termination type
Through Hole
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Collector-emitter voltage
600V
Max, gate / emitter voltage
20V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.4V@15V,30A
C000716934 STGW39NC60VD 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000716934 STGW39NC60VD 参考价格 ¥50.5068,实时库存 10122。TO-247-3 Pd-Power Dissipation: 250W, Collector-emitter saturation voltage: 30A 4V 15V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Termination type: Through Hole, Height: 20.15 mm, Package: TO-247-3, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Collector-emitter voltage: 600V, Max, gate / emitter voltage: 20V, Length: 15.75 mm, Width: 5.15 mm, Collector Current Ic: 70A, 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 80A, 功率(Pd): 250W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.4V@15V,30A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 126nC, 开启延迟时间(Td(on)): 33ns, 关断延迟时间(Td(off)): 178ns, 导通损耗(Eon): 0.333mJ, 关断损耗(Eoff): 0.537mJ, 反向恢复时间(Trr): 45ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 STGW39NC60VD 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。