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STGW39NC60VD

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ST(意法半导体)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:EAR99
参数描述:Vce=600V,Ic=80A,Vce(sat)=2V
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
Pd-Power Dissipation
250W
Collector-emitter saturation voltage
30A 4V 15V
Gate Threshold Voltage-VGE(th)
20V
Termination type
Through Hole
Height
20.15 mm
Package
TO-247-3
Operating Temperature Range
150℃~-55℃
Collector-emitter voltage
600V
Max, gate / emitter voltage
20V
Length
15.75 mm
Width
5.15 mm
Collector Current Ic
70A
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
80A
功率(Pd)
250W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.4V@15V,30A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
126nC
开启延迟时间(Td(on))
33ns
关断延迟时间(Td(off))
178ns
导通损耗(Eon)
0.333mJ
关断损耗(Eoff)
0.537mJ
反向恢复时间(Trr)
45ns
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
50.50675
10+
34.73124
100+
26.33441
500+
24.76314
1000+
24.2729
数量(递增量:1):
库存:
10,122
最小包装量:
1
交付周期:
13-17 工作日
共:
50.51
C000716934 STGW39NC60VD 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000716934 STGW39NC60VD 参考价格 ¥50.5068,实时库存 10122。TO-247-3 Pd-Power Dissipation: 250W, Collector-emitter saturation voltage: 30A 4V 15V, Gate Threshold Voltage-VGE(th): 20V, Termination type: Through Hole, Height: 20.15 mm, Package: TO-247-3, Operating Temperature Range: 150℃~-55℃, Collector-emitter voltage: 600V, Max, gate / emitter voltage: 20V, Length: 15.75 mm, Width: 5.15 mm, Collector Current Ic: 70A, 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 80A, 功率(Pd): 250W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.4V@15V,30A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 126nC, 开启延迟时间(Td(on)): 33ns, 关断延迟时间(Td(off)): 178ns, 导通损耗(Eon): 0.333mJ, 关断损耗(Eoff): 0.537mJ, 反向恢复时间(Trr): 45ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 STGW39NC60VD 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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