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MCG30P03-TP

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:MCC(美微科)
型号:
编号:
封装:DFN3333
海关编码:EAR99
参数描述:
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
30A
功率(Pd)
32W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
13mΩ@20A,20V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
29.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
2.05nF@15V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5000+
1.93082
10000+
1.7879
25000+
1.77015
数量(递增量:5000):
库存:
30,000
最小包装量:
5000
交付周期:
14-19 工作日
共:
9,654.10
C000725039 MCG30P03-TP 由 MCC(美微科) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C000725039 MCG30P03-TP 参考价格 ¥1.9308,实时库存 30000。DFN3333 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 30A, 功率(Pd): 32W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@20A,20V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 29.8nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.05nF@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 MCG30P03-TP 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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